Памяти spd что значит. Всё о программе CPU-Z

Всем добрпого времени суток. Сегодня поговорим о том, как выбрать оперативную память.

Эта очередная заметка обязана своим появлением нашим многоуважаемым читателям, ибо именно от них (т.е. Вас) поступил звоночек, что хочется видеть всего и побольше из разряда «тяжелой артиллерии», то бишь . Ну а так как мы, проект, умеющий не только писать, но и местами читать (в частности, Ваши комментарии:-)), то собственно, вот Вам еще одна железная статья про «мозги» вашего ПК, а именно, - оперативную память.

Как я уже говорил, изначально это была цельная статья, которую поделили на две. Первую часть, которая рассказывает о оперативной памяти вообще (т.е принципы работы, зачем она нужна и все такое прочее) Вы можете найти .

Во вступлении также хочется сказать, что сие творение займет свое почетное место в нашем «железном пантеоне» статей. Кто забыл (или вообще первый раз слышит, т.е. привет новеньким;-)) о чем там шла речь, напоминаю, - материалы рассказывают о том, на что нужно обращать внимание при покупке отдельных «запчастей» для Вашего компьютера. Вот некоторые из этих произведений искусства: “Intel или AMD. Проблематика выбора “, “Как правильно выбрать вентилятор (кулер) для процессора “, “ “ и всего такого разного из тега “Критерии выбора“.

Не смею Вас больше задерживать, начинаем..

Базовая вводная по характеристикам и не только

Как правильно выбрать оперативную память, чтоб производительность ПК повысилась и он шустро обрабатывал те приложения/игры, о которых раньше и помыслить не мог? Думаю, этим вопросом задается громадное число пользователей нашей (и не только) необъятной страны.

И правильно делают, что задаются, ибо только на первый взгляд можно сказать, что тут все просто и понятно, однако есть куча тонкостей, о которых мы Вам сейчас и расскажем.

Итак, первое, что надо держать в голове (перед покупкой) - выбор "правильной" памяти является залогом успеха дальнейшего разгона Вашего железного друга и в какой-то степени позволяет избежать ненужных материальных вливаний на вновь вышедшую железяку.

Т.е. память (например, «оверклокерская»), позволяет поддерживать пользовательский ПК в «бодром» расположении духа на протяжении довольно продолжительного времени, за счет заложенного производителем разгонного потенциала.

Мы не зря говорили выше о том, что оперативную память и кэш использует, для обработки данных, процессор (а через материнскую плату он потребляет ресурсы оперативной памяти). Не зря потому, что выбрать отдельно оперативку от того же процессора или материнской платы, никак не получится (ибо они взаимосвязаны).

Описывая характеристики материнской платы, мы ссылаемся на процессор, рассматривая оперативную память, мы также принимаем во внимание характеристики вышеназванных элементов, т.к. они являются основной «думающей» частью компьютера. Оперативная взаимосвязь этих компонентов позволяют Вашему железному помощнику быстрее осуществлять необходимые операции.

Поэтому к выбору памяти надо подходить исходя из этих соображений взаимосвязи, а то получится, что Вы приобрели "крутую" память, а материнка её не поддерживает и тогда лежать ей родимой и ждать своего «звездного часа»:).

Чтобы узнать, какой процессор поддерживает Ваша материнская плата, а также какой модуль памяти необходим для неё, нужно:

  • обратиться к сайту производителя платы
  • найти, по буквенно-цифровой маркировке, свою модель (например, производитель Gigabyte GA-P55A-UD4P)
  • изучить руководство по поддерживаемым процессорам и список рекомендованных модулей памяти (т.е. тех производителей и моделей, которые 100 % совместимы с Вашей платой).

Чтобы снять все вопросы, приведу конкретный пример (не надо, не благодарите меня:-)).

Заходим на сайт производителя (1 ) и ищем модель материнки по маркировке, для простоты вбиваем данные в поиск (2 ).

Примечание
Маркировку (модель/производителя материнки), например можно найти через cредство диагностики DirectХ (вызывается комбинацией клавиш командной строки «Win+R » и вводом dxdiag , далее запоминаем строки - производитель и модель ПК).

Нажимаем на ссылки «Поддерживаемые процессоры» (1 ) и «Список рекомендованных модулей памяти» (2 ). Для памяти загружаем этот список (в формате pdf ), нажав на соответствующую ссылку.

Определяемся с типом процессора (1 ) (допустим Core i5-760 ) и моделью памяти (2 ) (допустим Kingston KHX1600C9D3K2/4G).

Вот и всё, ничего сложного!

Теперь нам известно, что наша материнская плата и процессор не будут конфликтовать с этой памятью и при из совокупности этих трех компонентов можно выжать заветные 10-15 % прироста общей производительности компьютера и избежать, скажем, страшных и ужасных .

Теперь непосредственно перейдем к самим техническим параметрам.

Тип памяти

Прежде всего, необходимо определиться с типом памяти. На момент написания этой статьи на рынке доминируют модули памяти DDR (double-data-rate ) третьего поколения или DDR3 . Память типа DDR3 имеет более высокие тактовые частоты (до 2400 мегагерц), пониженное примерно на 30-40 % (по сравнению с DDR2 ) энергопотребление и соответственно меньшее тепловыделение.

Однако, до сих пор, можно встретить память стандарта DDR2 и морально устаревшую (а потому местами жутко дорогую) DDR1 . Все эти три типа полностью несовместимы друг с другом как по электрическим параметрам (у DDR3 меньше напряжение), так и физическим (смотрите изображение).

Это сделано для того, чтобы даже если Вы ошиблись с выбором - Вы не смогли бы вставить несовместимую планку памяти (хотя некоторые очень старательны, а посему случается.. ээ.. бум! :)).

Примечание
Стоит упомянуть про новый тип памяти DDR4 , отличающийся от предыдущих поколений более высокими частотными характеристиками и низким напряжением. Он поддерживает частоты от 2133 до 4266 МГц и в массовое производство поступит предположительно в середине 2012 года. Кроме того, не стоит путать оперативную память (упомянутый DDR ) с видеопамятью (а именно GDDR ). Последняя (вида GDDR 5 ) обладает высокими частотами, достигающими 5 Ггц, но используются пока только в видеокартах.

Форм-фактор

При выборе всегда обращайте внимание на form factor - стандарт, задающий габаритные размеры устройства или по-простому - тип конструкции самой планки.

DIMM (Dual Inline Memory Module , означает, что контакты располагаются по обе стороны) - для настольных ПК, а SO-DIMM - для ноутбуков (в последнее время ноутбучная память может встречаться в моноблоках или компактных мультимедийных ПК).

Как Вы можете видеть на картинке выше, они имеют разные размеры, так что промахнуться сложно.

Частота шины и пропускная способность

Основные параметры оперативки, которые характеризуют её производительность - это частота шины и скорость передачи данных.

Частота характеризует потенциал шины памяти по передаче данных за единицу времени, соответственно, чем она больше, тем больше данных можно передать. Частота шины и пропускная способность зависят прямо пропорционально друг от друга (например, память имеет 1333 Мгц шину, значит теоретически будет иметь пропускную способность 10600 Мб/сек, а на самом модуле будет написано DDR3 1333 (PC-10600 )).

Частота обозначается в виде «DDR2 (3 )-xxxx» или «PC2 (3 )-yyyy». В первом случае «xxxx» обозначает эффективную частоту памяти, а во втором «yyyy» указывает на пиковую пропускную способность. Чтобы не запутаться, посмотрите таблицу (в ней приведены наиболее популярные стандарты: DDR (1 ), DDR2 (2 ), DDR3 (3 )).

Какую частоту выбрать?

Как уже было сказано выше, необходимо отталкиваться от возможностей, которые предоставляет Ваша система. Рекомендуем, чтобы частота совпадала с частотой, поддерживаемой материнской платой/процессором.

Например, Вы подключили модуль DDR3-1800 в слот (разъем), поддерживающий максимально DDR3-1600 , в результате модуль будет работать на частоте слота, т.е. 1600 МГц, не используя свой ресурс в полном объеме, при этом также вероятны сбои и ошибки в работе системы. Надо сказать, что сейчас самыми распространёнными и рекомендуемыми к покупке являются модули типа DDR3 с тактовой частотой 1333 и 1600 МГц.

Для комплексной оценки возможностей оперативки используется термин пропускная способность памяти. Он учитывает частоту, на которой передаются данные, разрядность шины и количество каналов памяти (это довольно важный параметр быстродействия ОП).

Режимы работы памяти

В современных компьютерах материнские платы поддерживают специальные режимы работы оперативной памяти. Именно в этих режимах скорость её работы будет самой эффективной, поэтому для достижения наилучшего быстродействия, следует учитывать режимы работы модулей памяти и их правильную установку.

Что такое режим работы памяти? - это аналогично работе нескольких ядер CPU , т.е. теоретически скорость работы подсистемы памяти при двухканальном режиме увеличивается в 2 раза, трехканальном - в 3 раза соответственно и т.д.

Рассмотрим подробнее типы режимов:

  • Single chanell mode (одноканальный или ассиметричный) – этот режим включается, когда в системе установлен только один модуль памяти или все модули отличаются друг от друга по объему памяти, частоте работы или производителю. Здесь неважно, в какие разъемы и какую память устанавливать. Вся память будет работать со скоростью самой медленной из установленной памяти.
  • Dual Mode (двухканальный или симметричный) – в каждом канале устанавливается одинаковый объем оперативной памяти (и теоретически происходит удвоение максимальной скорости передачи данных). Для включения двухканального режима модули памяти устанавливаются парами в 1 и 3 и/или 2 и 4 слоты.
  • Triple Mode (трехканальный) – в каждом из трех каналов устанавливается одинаковый объем оперативной памяти. Модули подбираются по скорости и объему.
    Для включения этого режима модули должны быть установлены в 1 , 3 и 5 /или 2 , 4 и 6 слоты. На практике, кстати говоря, такой режим не всегда оказывается производительнее двухканального, а иногда даже и проигрывает ему в скорости передачи данных.
  • Flex Mode (гибкий) – позволяет увеличить производительность оперативной памяти при установке двух модулей различного объема, но одинаковых по частоте работы. Как и в двухканальном режиме платы памяти устанавливаются в одноименные разъемы разных каналов.

Обычно наиболее распространенным вариантом является двухканальный режим памяти.

Примечание
В продаже существуют материнские платы с поддержкой четырехканального режима работы памяти, что, по идее, даст Вам максимальную производительность. В общем случае, для эффективной организации работы памяти, необходима установка четного числа модулей памяти (2 или 4 ), причем в парах они должны быть одинакового объема и желательно из одной и той же партии (или одного и того же производителя).

Объём памяти или размер имеет значение?

Еще один важный параметр, про который говорят, что чем больше, тем лучше – это объем. Сразу замечу, что хоть это и существенная характеристика, но зачастую ей приписывают чуть ли не все лавры, в нелегком деле увеличения производительности ПК, что не всегда верно, однако имеет место быть.

Несколько слов о больших объемах памяти я писал в заметке " ".

Тем кому лень читать саму заметку, просто скажу, что, как по мне, так объемы от 6 Гб резонны, особенно в случаях слабой дисковой подсистемы (благо память сейчас стоит копейки). Да и задел на будущее будет неплохой, ибо, как показывает практика, потреблять память программы и операционки начинают все больше и больше.

Тайминги

В ней, помимо того, что можно узнать общую информацию о памяти (вкладка Memory ), так еще и посмотреть (вкладка SPD ), способна ли Ваша «малютка» к разгону, т.е. дружит ли она с профилем XMP или EPP .

Охлаждение

Большинство элементов в процессе работы ПК довольно "нехило" греются и память здесь не исключение (я не скажу, что на ней можно поджарить яичницу, как на видеокарте, но вот обжечься вполне реально:)). Для отвода тепла от микросхем, производители оснащают свои плашки специальными металлическими пластинами/радиаторами, охлаждающими кожухами. В быстродействующих моделях (заранее предназначенных для разгона) иногда доходит до полноценной отдельной системы охлаждения (с большим количеством всевозможных трубок и элементов, как на изображении).

Поэтому, если Вы планируете, скажем так, «плотно нагружать» свою оперативную память и к тому же заниматься (в будущем) разгоном, подумайте о нормальной системе её охлаждения. Глобально, даже обычному пользователю, я рекомендую покупать память хоть в каких-то радиаторах.

Коррекция ошибок ECC

Модули с такой маркировкой имеют на «борту» специальный контроллер, предназначенный для обнаружения и исправления различных ошибок памяти. Теоретически, такая система должна увеличить стабильность работы ОЗУ . На практике же разница в работе между «обычной» и более дорогой ECC -памятью почти незаметна. Поэтому приобретать специально такие модули особого смысла нет. Кроме того, использование ЕСС в модулях памяти может уменьшить скорость её работы на 2 - 10 %.

Собственно с параметрами мы закончили, но самое вкусное осталось как всегда на десерт! Что же, начинаем его поглощать:).

Правильная установка памяти после выбора и покупки

Казалось бы, про правильную установку ОП нечего рассказывать (вроде как все просто - воткнул, нажал и порядок), однако это не совсем так и сейчас мы изучим этот вопрос со всей степенью серьезности:).

Итак (перед установкой), запомните основные правила:

  • будьте осторожны
  • все работы проводите при полностью отключенном от питающей сети компьютере, сухими руками
  • не прилагайте излишних усилий – модули памяти очень хрупкие!
  • системный блок располагайте на прочной и устойчивой поверхности.

Переходим к самому процессу.

Шаг 1.
Первым делом, откройте боковую крышку системного блока (у стандартного вертикального корпуса – это левая крышка, если смотреть на системник спереди). Найдите внутри блока материнскую плату – самая большая плата, расположенная прямо перед Вами. На этой плате Вы увидите блок разъемов для установки модулей оперативной памяти.

Примечание
Количество слотов ОП обычно составляет 2-6 разъемов для большинства материнских плат, применяемых в домашних компьютерах. Перед установкой обратите внимание на видеокарту – она может мешать установке оперативной памяти. Если она мешает, то временно демонтируйте её.

Шаг 2.
На свободном слоте, выбранном для установки оперативки, отстегните специальные защелки на краях.

Аккуратно достаньте новые «мозги» (не гните их, берите осторожно, но уверенно за края) из антистатической упаковки.

Примечание
Внутри каждого разъема имеются небольшие ключи-перемычки, а на контактной части модулей памяти соответствующие им вырезы. Их взаимное совмещение исключает неправильную установку памяти или установку модулей другого типа. У каждого типа разное расположение и количество прорезей, а следовательно, и ключей на разъемах материнской платы (об этом мы уже упомянали, когда говорили про типы памяти).

Шаг 3.
Совместите прорезь на памяти с ключом в слоте материнской платы (как показано на изображении).

Если Вы не можете совместить ключи на планке памяти и на разъеме материнки, то вероятнее всего, Вы купили не тот вид памяти. Проверьте все еще раз, лучше вернуть покупку в магазин и обменять на нужный тип памяти.

Шаг 4.
Вставьте модуль DIMM в разъем, нажимая на его верхний край.

Шаг 5.
Осторожно нажимайте до тех пор, пока модуль полностью не установится в разъем, и фиксирующие защелки по краям разъема не встанут на место.

Шаг 6.
Убедитесь, что удерживающие фиксаторы встали на место и закрылись полностью.

Все, память установлена правильно! Установите на место крышку корпуса системного блока и подключите компьютер к электросети. После установки новой оперативной памяти обязательно протестируйте её специальными утилитами для выявления ошибок.

Стоит сказать несколько слов о режимах работы оперативной памяти.

Материнские платы позволяют работать памяти в n-канальных (двух/трех/четырех) режимах. Для этого слоты различаются цветом и разбиты на пары.

Например, для того чтобы задействовать двухканальный режим работы ОП, нужно чтобы модули (одинаковой частоты/объёма) были вставлены в одноименные разъемы (одним цветом, 1 и 3 ) из разных каналов (смотрите изображение).

Сия процедура позволяет добиться прироста производительности 5-10 % (в сравнении с одноканальным режимом).

Здесь все!

Следуя этой установочной инструкции, Вы не только с легкостью установите память (даже, если никогда этого не делали ранее) в «правильное» место, но и получите от оной максимальную производительность в системе.

Памятка пользователя по выбору

Так как информации получилось довольно много, давайте выделим основные моменты, которые Вам надо усвоить:

  • Заранее узнайте тип поддерживаемой (рекомендованной) производителем памяти
  • Устанавливайте модули памяти с одинаковыми таймингами/объемом/частотой работы и от одного производителя. В идеале приобрести комплект kit - это два модуля с одинаковыми характеристиками от одного производителя, уже протестированные в совместной работе
  • Пропускная способность шины оперативной памяти должна соответствовать пропускной способности шины процессора
  • Для достижения наилучшего быстродействия учитывайте режимы работы модулей и их правильную установку
  • Ищите память с минимальными штатными таймингами (меньше -> лучше)
  • Объем памяти выбирайте исходя из решаемых ПК задач и типа операционной системы
  • Выбирайте известных (зарекомендовавших себя) производителей, например: OCZ, Kingston, Corsair и пр.
  • Разгонный потенциал памяти напрямую зависит от чипов, на которых она произведена. Поэтому убедитесь, что память делал известный производитель, тогда наиболее вероятно, что чипы обеспечат более надежное питание, будут иметь большую помехоустойчивость, что благоприятно скажется на работе памяти в нештатных режимах
  • Если Вы планируете заниматься разгоном системы или хотите получить максимальную производительность (например, собрать игровой ПК), то следует обратить внимание на специальную оверклокерскую память с усиленным охлаждением.

Основываясь на этой информации, Вы сможете грамотно выбрать подходящий модуль памяти, который будет заботиться о том, чтобы родимая железка еще долго держала (и не роняла) высокую планку производительности.

Также хочется сказать, что если Вы надеетесь, что где-то между строк мы еще скажем пару слов о разгоне, то не надейтесь (:)), ибо этому вопросу будет посвящена отдельная (еще более вкусная) статья, в которой будут все тонкости разгона и «выжиму» максимума из своих «мозгов». Однако это уже совсем другая история..

Где лучше всего купить оперативную память?

Дней поменять товар без всяких вопросов, а уж в случае гарантийных проблем магазин встанет на Вашу сторону и поможет решить любые проблемы. Автор сайта пользуется им уже лет 10 минимум (еще со времен, когда они были частью Ultra Electoronics ), чего и Вам советует;

  • , - один из старейших магазинов на рынке, как компания существует где-то порядка 20 лет. Приличный выбор, средние цены и один из самых удобных сайтов. В общем и целом приятно работать.
  • Выбор, традиционно, за Вами. Конечно, всякие там Яндекс.Маркет "ы никто не отменял, но из хороших магазинов я бы рекомендовал именно эти, а не какие-нибудь там МВидео и прочие крупные сети (которые зачастую не просто дороги, но ущербны в плане качества обслуживания, работы гарантийки и пр).

    Послесловие

    Надеюсь, что сей материал займет достойное место на полочке с багажом Ваших "железных знаний" и не раз (а два и даже три:)) поможет советом в непростом деле покупки «думающей начинки» для компьютерного собрата.

    Оставайтесь на нашей ИТ-волне и Вы узнаете еще много чего интересного. Как и всегда, если Вам есть что сказать, то комментарии терпеливо ждут своей очереди.

    PS: Помимо танцев с бубнами над оперативкой в целях увеличения производительности компьютера, можно использовать ещё один весьма недурственный инструмент – файл подкачки. О том, как правильно его создать/настроить, Вы можете узнать из заметки, расположенной по .

    PS 2: За существование данной статьи спасибо члену команды 25 КАДР

    В тестовой лаборатории «КомпьютерПресс» проведено тестирование одиннадцати парных модулей памяти DDR2. Были протестированы следующие модули: A-DATA Vitesta DDR2 533 (M2OAD2G3H3160F1B52), A-DATA Vitesta DDR2 800 (M2OEL6F3H4170A1E0Z), Corsair CM2X512-8000UL, GEIL GX25125300X, Kingmax Mars DDR2-533 (KLBC28F-A8KH4), Kingston HyperX KHX7200D2/512, OCZ PC2-4200 (Gold Edition), Patriot PSD251266781, Samsung DDR2-533 (M378T6453FG0-CD5), Super Talent T533UX1GB и Transcend TS64MLQ64V5J.

    Уже ни для кого не секрет, что на рынке SDRAM-памяти наметился новый лидер — DDR2 SDRAM. Успеху стандарта DDR2 SDRAM способствует не только успешный дебют платформ, основанных на наборах микросхем системной логики Intel, но и поддержка данного типа памяти другими чипсетами. Популярности стандарту добавил и тот факт, что к этому типу памяти вскоре планируется перевести не только Intel-, но AMD-платформы.

    В настоящем тестировании представлены модули памяти стандарта DDR2 SDRAM различных спецификаций, ориентированные как на обычных пользователей, так и на энтузиастов. Забегая вперед, подчеркнем, что результаты тестирования представленных модулей стоит рассматривать вкупе с конкретным чипсетом и конкретной моделью материнской платы, поскольку на других платформах некоторые модули памяти могут проявить себя как с лучшей, так и с худшей стороны. Кроме того, некоторые полученные результаты, продемонстрированные памятью, были заведомо предсказуемы. Особенно это касается модулей памяти, ориентированных на энтузиастов. Производительность таких модулей памяти мало чем отличается, поскольку разброс результатов не очень заметный. А вот разгонный потенциал такой памяти, по нашему мнению, — более важная характеристика, нежели производительность, поскольку доставляет моральное удовлетворение ее обладателю.

    Методика тестирования

    тенд для тестирования оперативной памяти DDR2 имел следующую конфигурацию:

    • процессор — Intel Pentium Processor Extreme Edition 955 (тактовая частота 3,2 ГГц, кэш L2 4 Мбайт);
    • частота FSB — 1066 МГц;
    • материнская плата — Intel D975XBX;
    • чипсет — Intel 975;
    • видеокарта — ATI Radeon X800GT.

    Тестирование проводилось под управлением операционной системы Windows Professional SP2.

    Материнская плата на чипсете Intel D975XBX была выбрана не случайно, так как позволяет менять частоту памяти независимо от частоты процессора. При этом тактовая частота системной шины остается неизменной, а частота памяти меняется за счет применения соответствующих коэффициентов.

    Память тестировалась в двухканальном режиме, для чего использовались парные модули памяти.

    При частоте памяти DDR667 максимальная (теоретическая) пропускная способность памяти в двухканальном режиме составляет 2х667 МГц х 8 байт = 10,6 Гбайт/с. Однако на практике столь высокое значение пропускной способности памяти недостижимо, и прежде всего потому, что ограничивающим фактором в данном случае будет пропускная способность процессорной шины, которая при частоте FSB 1066 МГц составляет 1066 МГц х 8 байт = 8,5 Гбайт/с.

    Для тестирования памяти применялся тестовый пакет RightMark Memory Analyzer v3.62, включающий следующие пресеты:

    • RAM Performance Stream;
    • Average Memory Bandwidth, SSE2;
    • Maximal RAM Bandwidth, Software Prefetch, SSE2;
    • Average RAM Latency;
    • Minimal RAM Latency, 16 Mbyte Block, L1 Cache line.

    С подробным описанием каждого пресета можно ознакомиться на сайте www.rightmark.org или www.ixbt.com.

    Кроме того, использовался набор бенчмарков, входящих в пакет 3DMark 2005. Для увеличения нагрузки на процессор и память при тестировании устанавливалось различное разрешение, а драйвер видеокарты настраивался на максимальную производительность. Также применялся скрипт для работе в пакете Adobe Photoshop CS2, рекомендованный компанией Intel.

    Тестирование памяти проводилось в три этапа. На первом этапе память тестировалась в штатном режиме, то есть с таймингами по умолчанию (by SPD).

    Для того чтобы оценить потенциальные возможности модулей памяти по разгону, на втором этапе проводилось тестирование на частоте 667 МГц, но в режиме с наименьшими таймингами, которые определяются методом проб и ошибок. Минимальные тайминги подбирались таким образом, чтобы это не отражалось на стабильности работы системы в целом. При разгоне памяти также применялось повышенное до 2,1 В напряжение питания модулей памяти.

    На третьем этапе производился разгон памяти по тактовой частоте, после чего подбирались наименьшие тайминги, при которых сохраняется стабильная работа модулей памяти в двухканальном режиме. В данном случае также использовалось повышенное напряжение питания модулей памяти.

    Выбор редакции

    се представленные для тестирования модули были условно разделены на три группы в соответствии с их спецификацией. В первую группу попали модули, частота работы которых составляет 533 МГц, во вторую группу — модули с частотой 667 МГц, а в третьей группе оказались модули с частотой работы 800 МГц и более.

    Поскольку описание модулей дано в алфавитном порядке, здесь мы приведем распределение модулей по группам. Первая группа: A-DATA Vitesta DDR2 533 (M2OAD2G3H3160F1B52), Kingmax Mars DDR2-533 (KLBC28F-A8KH4), OCZ PC2-4200 (Gold Edition), Samsung DDR2-533 (M378T6453FG0-CD5), Super Talent T533UX1GB и Transcend TS64MLQ64V5J; вторая группа: GEIL GX25125300X и Patriot PSD251266781; третья група: A-DATA Vitesta DDR2 800 (M2OEL6F3H4170A1E0Z), Corsair CM2X512-8000UL и Kingston HyperX KHX7200D2/512.

    Знак «Выбор редакции» присуждался одному комплекту модулей памяти в каждой группе.

    В первой группе знаком «Выбор редакции» мы отметили комплект модулей памяти Transcend TS64MLQ64V5J ; во второй — Patriot PSD251266781 ; в третьей — Corsair CM2X512-8000UL .

    Участники тестирования

    Компания A-DATA Technology Co, Ltd, специализирующаяся на выпуске памяти любых типов, представила несколько видов памяти стандарта DDR2 SDRAM, некоторые из них приняли участие в нашем тестировании.

    Первый комплект — модуль памяти A-DATA Vitesta DDR2 533 (M2OAD2G3H3160F1B52 (DDR2 533(4) 512MX8)), отличительной особенностью которого является использование радиаторов. Радиаторы, выполненные из алюминия, установлены с обеих сторон модуля, что способствует эффективному отводу тепла. Цвет исполнения радиаторов — красный. Монтаж чипов памяти выполнен на одной стороне печатной платы.

    Каждый модуль A-DATA Vitesta DDR2 533 обладает емкостью 512 Мбайт, так как основан на восьми микросхемах по 64 Мбайт. В качестве микросхем памяти применяются чипы с маркировкой Corsair 64M8CFE PS1000546.

    В соответствии с технической документацией на данные модули памяти при частоте 533 МГц они поддерживают тайминги 4-4-4-11 (рис. 1). Именно с такими таймингами и на штатной частоте проводилось первоначальное тестирование модулей памяти A-DATA Vitesta DDR2 533.

    Как выяснилось в ходе тестирования, минимальные тайминги, которые поддерживают данные модули при работе в двухканальном режиме, существенно ниже определяемых по умолчанию, а именно: 4-3-3-10. Кроме того, модули памяти разгоняются вплоть до частоты 800 МГц с таймингами 5-5-5-15, правда при этом наблюдается не совсем стабильная работы системы. При стабильной работе максимальная частота, которую нам удалось получить от данных моделей в ходе тестирования, составляет 783 МГц (5-5-5-15).

    Результаты тестирования модулей A-DATA Vitesta DDR2 533 с использованием тестовых пакетов представлены в табл. 1 .

    Из результатов тестирования модулей A-DATA Vitesta DDR2 533 видно, что уменьшение таймингов приводит к увеличению пропускной способности памяти и к снижению латентности. При таймингах по умолчанию пропускная способность составляет 7013,17 Мбайт/с (операция чтения, пресет Maximal RAM Bandwidth, Software Prefetch, SSE2), в то время как при уменьшенных таймингах 4-3-3-10 она увеличивается до 7120,91 Мбайт/с, то есть на 1,5%. Кроме того, в реальных приложениях наблюдается незначительный прирост производительности.

    При увеличении тактовой частоты памяти стабильность работы сохраняется и также наблюдается повышение пропускной способности памяти и снижение латентности. В данном случае можно говорить о том, что существенно большее влияние на производительность памяти оказывает увеличение тактовой частоты, нежели уменьшение таймингов памяти.

    Еще один комплект от компании A-DATA Technology Co, Ltd — модуль памяти A-DATA Vitesta DDR2 800 (M2OEL6F3H4170A1E0Z (DDR2 800(5) 512MX16)), который позиционируется производителем как ориентированный на энтузиастов, поскольку он действительно является высокоскоростным и способен полностью раскрыть потенциал данного типа памяти. Кроме того, этот модуль обладает разгонным потенциалом по таймингам.

    Отличительной особенностью модулей памяти A-DATA Vitesta DDR2 800, как и вышеописанных модулей, является использование радиаторов. Радиаторы A-DATA Vitesta DDR2 800 абсолютно идентичны радиаторам, применяемым в модулях A-DATA Vitesta DDR2 533.

    Каждый представленный модуль A-DATA Vitesta DDR2 800 обладает емкостью 512 Мбайт —восемь микросхем по 64 Мбайт. Рабочее напряжение модулей составляет 1,85±0,1 В. Модули удовлетворяют требованиям стандарта JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council).

    Модули поддерживают три возможных значения задержки сигнала CAS (Column Address Strobe) — 5, 4 и 3. Максимальному значению соответствует частота работы 400 МГц (режим работы DDR2-800) при схеме таймингов 5-5-5-18. В случае уменьшенной задержки CAS, равной 4 (режим работы DDR2-667), частота работы составляет 333,3 МГц, при этом схема таймингов 4-5-5-15. И наконец, при задержке CAS, равной 3 (соответствует режиму работы DDR2-533), схема таймингов выглядит следующим образом: 4-4-4-12 (рис. 2).

    В ходе тестирования выяснилось, что минимальные тайминги при максимальной частоте 800 МГц существенно ниже определяемых по умолчанию и составляют 4-4-4-12. Именно этот факт и позволил нам попробовать еще немного разогнать память по частоте, правда при этом слегка ухудшив тайминги. Модули памяти разогнались до частоты 825 МГц с таймингами 5-5-5-15. Заметим, что синтетические тесты в этом режиме проходят стабильно, а вот реальные приложения вызывают периодические сбои. Поэтому мы не рекомендуем разгонять данные модули по частоте выше 800 МГц. Кроме того, подчеркнем, что в режиме работы с частотой 825 МГц не только ухудшается латентность памяти из-за загрубления таймингов, но и наблюдается ухудшение результатов пропускной способности памяти.

    Результаты тестирования модулей A-DATA Vitesta DDR2 800 с использованием тестовых пакетов представлены в табл. 2 .

    В целом же из результатов видно, что с увеличением частоты работы памяти (с наименьшими таймингами) увеличивается пропускная способность памяти и улучшается латентность. Показатели несинтетических тестов также улучшаются, правда не всегда. Например, в тесте для программного пакета лучший результат был продемонстрирован при частоте работы памяти 667 МГц с задержками 4-4-4-12.

    Corsair CM2X512-8000UL

    Модули Corsair CM2X512-8000UL относятся к высокопроизводительной серии XMS2. Компания-производитель позиционирует данные модули как высокопроизводительные и ориентированные на энтузиастов. Традиционно модули этой серии оснащены радиаторами черного цвета. Емкость каждого модуля составляет 512 Мбайт, поскольку они имеют организацию 8х64 Мбайт. Как следует из технической документации, модули поддерживают частоту 1000 МГц, что, конечно, впечатляет. Но заметим, что данная частота не является стандартной и вообще не очень понятно, на каких системах сегодня можно достичь такой частоты. Тем не менее наше тестирование продемонстрировало, что модули обладают прекрасным потенциалом и демонстрируют одни из лучших результатов.

    В SPD модулей памяти зашито всего два значения частоты с соответствующими таймингами. При частоте 540 МГц они гарантированно поддерживают тайминги 4-4-4-13, при частоте 800 МГц — тайминги 5-5-5-18 (рис. 3). Материнская плата определяет тайминги по умолчанию для данных модулей несколько иначе. Так, при частоте в 667 МГц тайминги, определяемые материнской платой, выглядят следующим образом: 5-5-5-15. Именно с такими таймингами и на штатной частоте 667 МГц проводилось первоначальное тестирование модулей памяти Corsair CM2X512-8000UL. В дальнейшем также были опробованы как пониженные, так и повышенные частоты работы памяти при различных таймингах. На нашем стенде удалось добиться максимальной частоты работы памяти, которая составила 936 МГц при таймингах 5-5-5-15 и увеличенном до 1,9 В напряжении питания.

    Как выяснилось в ходе тестирования, модули памяти прекрасно разгоняются до высоких частот без ущерба для стабильности работы. Нам не удалось достичь максимальной частоты работы памяти 1000 МГц только из-за невозможности добиться стабильной работы системы в целом. На максимальной частоте работы памяти тактовая частота процессора составила 3744 МГц.

    Результаты тестирования модулей Corsair CM2X512-8000UL с использованием тестовых пакетов представлены в табл. 3 .

    Как следует из результатов тестирования модулей Corsair CM2X512-8000UL, уменьшение таймингов приводит к существенному увеличению пропускной способности памяти и к снижению латентности. Так, максимальная пропускная способность памяти при таймингах 4-4-4-13 и частоте 533 МГц составляет 6954,62 Мбайт/с (операция чтения, пресет Maximal RAM Bandwidth, Software Prefetch, SSE2). В то же время при уменьшении таймингов до 3-2-2-5 пропускная способность увеличивается до 7625,94 Мбайт/с, то есть на 9,7%.

    Увеличение тактовой частоты до 800 МГц с одновременным снижением латентности не влияет на стабильность работы памяти и способствует как повышению пропускной способности памяти, так и улучшению параметров латентности. В целом же можно сказать, что уменьшение таймингов памяти с одновременным увеличением частоты работы памяти оказывает положительное влияние на производительность памяти. Тестирование памяти Corsair CM2X512-8000UL в несинтетических тестах дало примерно такие же результаты, что и в тесте RightMark Memory Analyzer v3.62.

    Модули памяти GEIL GX25125300X емкостью по 512 Мбайт имеют организацию 8х64 Мбайт. Они оснащены алюминиевым радиатором с голографической наклейкой, на которой приводится вся информация о модулях. В соответствии с технической документацией модули поддерживают частоту 667 МГц с таймингами 4-4-4-12. А вот материнская плата определяет тайминги по умолчанию для данных модулей несколько иначе:

    • CAS Latency (tCL) — 5;
    • RAS to CAS delay (tRCD) — 5;
    • Row Precharge (tRP) — 5;

    Кроме того, как видно из рис. 4, именно эти значения и прошиты в SPD памяти.

    Первоначально тестирование памяти GEIL GX25125300X проводилось с таймингами, определяемыми материнской платой в автоматическом режиме на штатной частоте 667 МГц в двухканальном режиме. В дальнейшем были опробованы другие частоты работы памяти с различными таймингами.

    В ходе тестирования выяснилось, что минимальные тайминги, которые поддерживают данные модули при работе в двухканальном режиме, полностью соответствуют заявляемым и считаются наилучшими для частоты 667 МГц.

    Также нам удалось разогнать модули памяти GEIL GX25125300X до частоты, превышающей 800 МГц, без ущерба для стабильности работы, причем при данной частоте тайминги составили 5-5-5-15.

    Результаты тестирования модулей GEIL GX25125300X с использованием всех тестовых пакетов представлены в табл. 4 .

    Из результатов тестирования модулей GEIL GX25125300X видно, что при уменьшении таймингов и неизменной частоте наблюдается увеличение показателей пропускной способности памяти и уменьшение ее латентности. В то же время увеличение тактовой частоты с 667 до 825 МГц при одновременном ухудшении таймингов приводит к улучшению результатов только в синтетических тестах, а в реальных приложениях происходит незначительное ухудшение результатов. По нашему мнению, оптимальным режимом работы для данных модулей памяти в описанной системе является режим работы на частоте 800 МГц, при котором улучшаются все показатели.

    В настоящее время Kingmax предлагает широкий ассортимент модулей памяти DDR2 SDRAM, в числе которых и модули KLBC28F-A8KH4 серии Mars. KLBC28F-A8KH4 — это 240-контактные модули небуферизованной памяти DDR2 PC4300, или DDR2-533, объем которых составляет 512 Мбайт. Основой модулей KLBC28F-A8KH4 являются восемь 64-мегабайтных микросхем с маркировкой Kingmax KKEA88H4NAU.

    Как выяснилось в процессе тестирования, тайминги по умолчанию (by SPD) для модулей памяти KLBC28F-A8KH4 составляют последовательность 4-4-4-12 (рис. 5).

    Минимальные тайминги, которые поддерживают данные модули памяти на тактовой частоте 533 МГц, составляют последовательность 4-4-4-12. Именно эти минимальные тайминги и прошиты в SPD памяти. Кроме того, модули памяти разгоняются до частоты 800 МГц без ущерба для стабильности работы. Правда, при данной частоте тайминги приходится ухудшать до значений 5-5-5-15. А вот при частоте работы 667 МГц тайминги имеют минимальную последовательность 3-4-3-5.

    Результаты тестирования модулей Kingmax Mars DDR2-533 (KLBC28F-A8KH4) с использованием всех тестовых пакетов представлены в табл. 5 .

    Как следует из результатов тестирования модулей Kingmax Mars DDR2-533, тайминги по умолчанию (by SPD) являются сильно завышенными. При данной частоте наименьшие тайминги, которых нам удалось добиться, составляют 3-3-2-4. Уменьшение таймингов до таких значений не оказывает влияния на стабильность работы модулей памяти. Наилучшим же режимом для модулей, по нашему мнению, является режим работы при частоте 667 МГц с таймингами 3-4-3-5. В этом режиме наблюдается существенное увеличение пропускной способности памяти и снижение ее латентности. Так, максимальная пропускная способность памяти при частоте 533 МГц и таймингах по умолчанию составляет 7027,22 Мбайт/с (операция чтения, пресет Maximal RAM Bandwidth, Software Prefetch, SSE2). В то же время при уменьшении таймингов до 3-3-2-4 пропускная способность возрастает до 7476,67 Мбайт/с, а при увеличении частоты до 667 МГц и таймингах 3-4-3-5 она оказывается еще больше и составляет 7545,39, что превышает первое значение на 7,4 %.

    Увеличение тактовой частоты до 800 МГц не оказывает влияния на стабильность работы памяти. Заметим, что прирост производительности наблюдается только в синтетических тестах. Так что о существенном росте производительности памяти в целом в данном случае говорить не приходится. Кроме того, это лишний раз подтверждает, что производительность памяти в существенно большей степени зависит от изменения таймингов памяти, нежели от повышения тактовой частоты.

    Компания Kingston представлена в нашем тестировании скоростными модулями DDR2 SDRAM — Kingston HyperX KHX7200D2/512, которые позиционируются для энтузиастов и рассчитаны на использование в системах с двухканальным контроллером памяти. Комплект традиционно состоит из двух идентичных модулей DIMM, каждый из которых имеет емкость 512 Мбайт.

    Модули принадлежат к серии HyperX, специально разработанной компанией для применения в оверклокерских системах. Отличительной особенностью модулей семейства HyperX является наличие алюминиевых радиаторов, анодированных в синий цвет, с нанесенными на них логотипами компании и серии. Радиаторы закрывают модуль с двух сторон. Использование подобных радиаторов характерно для многих производителей, применяющих подобное решение для своих высокопроизводительных модулей памяти. На радиаторах имеется также наклейка-гарантия с информацией о принадлежности к серии модулей памяти. Единственным техническим параметром, нанесенным на наклейку, является увеличенное до 1,9 В напряжение.

    В соответствии с технической спецификацией модули имеют штатную частоту 900 МГц (PC2-7200). А вот последовательность задержек нам выяснить так и не удалось.

    В основе моделей Kingston HyperX KHX7200D2/512 лежат чипы от компании Infineon, маркировка которых имеет следующий вид: HYB18T512800AF3S.

    В SPD модулей памяти Kingston HyperX KHX7200D2/512 зашиты три значения частоты с соответствующими таймингами. Первоначально тестирование проводилось с частотой и таймингами, определяемыми в автоматическом режиме, при котором частота составила 667 МГц, а последовательность таймингов 5-5-5-15. Материнская плата определяет тайминги для данных модулей точно так же.

    Помимо таймингов в SPD модулей указаны время производства модулей и их серийный номер. Заметим, правда, что определяемая программой спецификация совсем не соответствует реальной (рис. 6).

    Частота, при которой память работает стабильно, равна 800 МГц. Тайминги составили следующую последовательность: 4-5-4-8. Именно при такой частоте и с этими таймингами наблюдаются максимальные показатели во всех тестах — как в синтетических, так и в реальных приложениях.

    В целом о памяти Kingston HyperX KHX7200D2/512 можно сказать, что уменьшение таймингов с одновременным увеличением частоты работы памяти оказывает положительное влияние на производительность памяти.

    Результаты тестирования модулей Kingston HyperX KHX7200D2/512 с использованием всех тестовых пакетов представлены в табл. 6 .

    Модули памяти OCZ PC2-4200 (Gold Edition) имеют объем по 512 Мбайт каждый и оснащены радиаторами, анодированными под золото, что отражено в названии модулей. Ориентированы эти модули памяти на энтузиастов. Радиаторы, что традиционно в таких случаях, служат для эффективного отвода тепла с поверхности чипов памяти.

    В соответствии с технической спецификацией тайминги этой памяти составляют последовательность 3-3-3-8 при штатной частоте 533 МГц. В процессе тестирования материнская плата Intel D975XBX по умолчанию устанавливает несколько иные тайминги, которые, кстати, и прошиты в SPD памяти. Так, задержки выглядят следующим образом (рис. 7):

    • CAS Latency (tCL) — 4;
    • RAS to CAS delay (tRCD) — 4;
    • Row Precharge (tRP) — 4T;
    • Active to Precharge (tRAS) — 12.

    Первоначально тестирование модулей осуществлялось с таймингами, определяемыми в автоматическом режиме. В дальнейшем были опробованы тайминги, заявляемые производителем, а также недокументированные режимы работы памяти. Например, память прекрасно разгоняется до частоты 800 МГц с таймингами 5-5-5-15, а на частоте 667 МГц задержки можно понизить до значений 4-4-4-12.

    Результаты тестирования модулей OCZ PC2-4200 (Gold Edition) с использованием всех тестовых пакетов представлены в табл. 7 .

    Как следует из результатов тестирования модулей OCZ PC2-4200 (Gold Edition), память очень хорошо разгоняется и по таймингам, и по тактовой частоте. Оптимальный режим работы памяти OCZ PC2-4200 (Gold Edition), по нашему мнению, достигается на частоте 800 МГц, пусть даже и с пониженными задержками. В этом режиме наблюдается повышение результатов во всех тестах, что и дает нам основание рекомендовать именно этот режим работы.

    Patriot PSD251266781

    Модули памяти Patriot PSD251266781, производимые компанией PDP Systems, имеют емкость по 512 Мбайт каждый и относятся к типу односторонних модулей памяти DDR2-667. В них используются чипы памяти производства Micron Technology.

    В соответствии с технической спецификацией для разных тактовых частот применяются и различные задержки. Материнская плата Intel D975XBX определяет данные модули памяти как DDR2-667 и по умолчанию устанавливает для них тайминги 5-5-5-15. В процессе тестирования при частоте 667 МГц методом проб и ошибок были подобраны минимальные задержки 3-3-3-4 при сохранении стабильности работы. По умолчанию устанавливаются тайминги, которые намного ниже указанных в технической документации. Для других частот (выше и ниже штатной) также были подобраны наименьшие тайминги. Так, для частоты 533 МГц задержки составили 3-3-3-4, а для частоты 800 МГц — 5-4-4-8. При этих значениях для сравнения модули также были протестированы с другими модулями, представленными в тестировании.

    Максимальная частота, до которой удается разогнать данные модули памяти, составляет 800 МГц, при этом даже не приходится ухудшать тайминги.

    Результаты тестирования модулей Patriot PSD251266781 с использованием всех тестовых пакетов представлены в табл. 8 .

    Сравнение результатов тестирования модулей памяти Patriot PSD251266781 на тактовой частоте 533 МГц с таймингами 3-3-3-4 с результатами тестирования на тактовой частоте 667 МГц с точно такими же таймингами показывает довольно ощутимый прирост производительности почти во всех тестах. Впрочем, такое положение вещей вполне очевидно. Но совсем удивительно то, что память демонстрирует лучшие результаты во всех тестах на частоте 800 МГц с чуть более худшими таймингами. Именно этот факт позволяет рекомендовать не использовать память Patriot PSD251266781 в штатном режиме, а разгонять ее как при помощи увеличения частоты работы, так и путем уменьшения задержек.

    Модули памяти Samsung DDR2-533 (M378T6453FG0-CD5), в отличие от других моделей, представленных в тестировании, традиционно не имеют радиаторов. Непосредственно на двустороннем модуле памяти расположено 16 чипов (по восемь с каждой стороны) Samsung K4T56083QF-GC05.

    В соответствии с технической документацией память Samsung DDR2-533 (M378T6453FG0-CD5) поддерживает различные тайминги при частоте работы 533 МГц. Наименьшие тайминги по умолчанию для данных модулей составляют последовательность 4-4-4-11. Такие же задержки определяются материнской платой Intel D975XBX в автоматическом режиме (рис. 8).

    Минимальные тайминги, которые удается подобрать для данных модулей на частоте 533 МГц, составляют 3-3-4-4, из чего можно сделать вывод, что тайминги по умолчанию немного завышены. По частоте модули также прекрасно разгоняются. Нам удалось добиться максимальной частоты работы памяти 687 МГц при сохранении стабильности. Задержки при данной частоте составляют 5-5-5-15.

    Результаты тестирования модулей Samsung DDR2-533 (M378T6453FG0-CD5) с использованием всех тестовых пакетов представлены в табл. 9 .

    Как следует из результатов тестирования модулей Samsung DDR2-533 (M378T6453FG0-CD5), память достаточно хорошо разгоняется по тактовой частоте. Однако при уменьшенных задержках на частоте 667 МГц память демонстрирует наилучший прирост в производительности без ущерба для стабильности работы.

    Модули памяти Super Talent T533UX1GB оснащены емкостью по 512 Мбайт каждый и имеют по восемь чипов памяти K4T51083QC производства Samsung, распаянных с одной стороны печатной платы. Организация модулей — 64Мx8. В них не предусмотрены какие-либо радиаторы, отводящие тепло от чипов памяти.

    К сожалению, из технических характеристик на модулях памяти указан только параметр CAS Latency (tCL), равный 4. Судя по технической информации к чипам памяти, они имеют тайминги 4-4-4 при частоте 533 МГц и напряжении 1,8 В. Кроме того, данные чипы поддерживают и другие частоты с различными задержками. Так, следуя технической спецификации именно к чипам памяти от Samsung, память может функционировать на частоте 667 МГц с задержками 5-5-5 и на частоте 800 МГц с точно такими же задержками. Поэтому в том, что модули прекрасно работают на указанных частотах, нет ничего удивительного.

    Материнская плата Intel D975XBX определяет модули в автоматическом режиме как DDR2-667 и устанавливает для них следующие тайминги:

    • CAS Latency (tCL) — 5;
    • RAS to CAS delay (tRCD) — 5;
    • Row Precharge (tRP) — 5;
    • Active to Precharge (tRAS) — 15.

    Минимальные тайминги, которые удается подобрать для данных модулей на частоте 667 МГц, составляют 4-4-4-12, из чего можно сделать вывод, что тайминги по умолчанию сильно завышены и в модулях заложен неплохой потенциал для разгона по таймингам без ущерба для стабильности работы.

    Максимальная частота, до которой удается разогнать данные модули памяти, составляет 800 МГц, однако повышение частоты возможно только за счет увеличения задержек памяти до значения 5-5-5-15. Наилучшие показатели память демонстрирует в недокументированном режиме на частоте 800 МГц при значениях задержек 5-5-5-15.

    Результаты тестирования модулей Super Talent T533UX1GB с использованием всех тестовых пакетов представлены в табл. 10 .

    Как видно из результатов тестирования модулей Super Talent T533UX1GB, память достаточно хорошо разгоняется по частоте, а вот разгон по таймингам не очень высокий. Тем не менее увеличение частоты работы памяти приводит к улучшению результатов как в синтетических тестах, так и в реальных приложениях. Поэтому наилучшим для модулей памяти будет недокументированный режим работы на частоте 800 МГц, пусть даже и с наихудшими задержками.

    Transcend TS64MLQ64V5J

    Модули памяти Transcend TS64MLQ64V5J емкостью по 512 Мбайт каждый относятся к типу односторонних модулей DDR2-667, и в них используются чипы памяти производства Micron Technology. В отличие от большинства других модулей, чипы памяти не закрыты радиаторами.

    В соответствии с технической документацией модули памяти Transcend TS64MLQ64V5J при частоте 533 МГц по умолчанию имеют тайминги 4-4-4-11. Материнская плата по умолчанию устанавливает для модулей памяти точно такие же задержки (рис. 9).

    Рис. 9. Спецификация памяти Transcend TS64MLQ64V5J и ее тайминги, прошитые в SPD

    В ходе тестирования было выявлено, что на частоте 533 МГц можно установить тайминги ниже значений, указанных в документации, — 3-3-3-4. Максимальная частота, до которой удается разогнать данные модули памяти, составляет 775 МГц, однако повышение частоты возможно только за счет увеличения задержек памяти до значения 5-5-5-15. Но наилучшие показатели память демонстрирует в недокументированном режиме на частоте 667 МГц при довольно хороших значениях задержек (4-3-3-4).

    Результаты тестирования модулей Transcend TS64MLQ64V5J с использованием всех тестовых пакетов представлены в табл. 11 .

    Анализ результатов тестирования модулей памяти Transcend TS64MLQ64V5J показывает, что увеличение тактовой частоты памяти при одновременном повышении задержек приводит к ухудшению результатов тестирования. А вот снижение таймингов памяти и установка максимально возможной частоты работы позволяют улучшить производительность памяти, причем довольно ощутимо.

    Редакция выражает признательность:

    • московскому представительству компании Intel (www.intel.ru) за предоставление процессора Intel Pentium Processor Extreme Edition 955 и материнской платы Intel D975XBX;
    • представительству компании Corsair (www.corsair.com) за предоставление модулей памяти Corsair CM2X512-8000UL;
    • компании «AK-Цент Микросистемс» (www.bestmemory.ru) за предоставление модулей памяти GEIL GX25125300X;
    • представительству компании Kingston (www.kingston.com) за предоставление модулей памяти Kingston HyperX KHX7200D2/512;
    • компании SuperTalent Technology Corporation, USA (www.supertalent.com/ru/php), MA Labs USA (www.malabs.com) за предоставление модулей памяти Super Talent T533UX1GB;
    • компании PatriArch Approved Memory (www.memory.ru) за предоставление модулей памяти Kingmax Mars DDR2-533 (KLBC28F-A8KH4, OCZ PC2-4200 (Gold Edition), Patriot PSD251266781, Samsung DDR2-533 (M378T6453FG0-CD5) и Transcend TS64MLQ64V5J.

    – Быстрее, еще быстрее, ну ускорься, пожалуйста, хоть немного, а то меня сейчас…

    – Не могу, дорогой Геймер, ведь я достигла своей предельной тактовой частоты.

    Примерно так мог бы выглядеть диалог и Геймера, у которого на счету каждая доля секунды.

    Тактовая частота оперативной памяти (ОЗУ, RAM) – второй по значимости параметр после объема. Чем она выше, тем быстрее происходит обмен данными между процессором и ОЗУ, тем шустрее работает компьютер. Оперативка с низкими тактами может стать «бутылочным горлом» в ресурсоемких играх и программах. И если вы не хотите каждый раз упрашивать капризную железку немного прибавить скорость, при покупке всегда обращайте внимание на эту характеристику. Сегодня поговорим, как узнать частоту оперативной памяти по описанию в каталогах магазинов, а также той, что установлена на вашем ПК.

    Как понять, что за «зверя» предлагает магазин

    В описании модулей оперативной памяти на сайтах интернет-магазинов иногда указывают не все, а лишь отдельные скоростные характеристики. Например:
    • DDR3, 12800 Мб/с.
    • DDR3, PC12800.
    • DDR3, 800 МГц (1600 МГц).
    • DDR3, 1600 МГц.

    Кто-то подумает, что речь в этом примере идет о четырех разных планках. На самом деле так можно описать один и тот же модуль RAM с эффективной частотой 1600 МГц! И все эти числа косвенно или прямо указывают на нее.

    Чтобы больше не путаться, разберемся, что они означают:

    • 12800 Мб/с – это пропускная способность памяти, показатель, получаемый путем умножения эффективной частоты (1600 МГц) на разрядность шины одного канала (64 бит или 8 байт). Пропускная способность описывает максимальное количество информации, которое модуль RAM способен передавать за один такт. Как определить по ней эффективную частоту, думаю, понятно: нужно 12800 разделить на 8.
    • PC12800 или PC3-12800 – другое обозначение пропускной способности модуля RAM. Кстати, у комплекта из двух планок, предназначенного к использованию в двухканальном режиме, пропускная способность в 2 раза выше, поэтому на его этикетке может стоять значение PC25600 или PC3-25600.
    • 800 МГц (1600 МГц) – два значения, первое из которых указывает на частотность шины самой памяти, а второе – в 2 раза большее – на ее эффективную частоту. Чем отличаются показатели? В компьютерах, как вы знаете, используется ОЗУ типа DDR – с удвоенной скоростью передачи данных без увеличения количества тактов шины, то есть за 1 такт через нее передается не одна, а две условные порции информации. Поэтому основным показателем принято считать эффективную тактовую частоту (в данном примере – 1600 МГц).

    На скриншоте ниже показано описание скоростных характеристик оперативки из каталогов трех компьютерных магазинов. Как видно, все продавцы обозначают их по-своему.


    Разные модули ОЗУ в рамках одного поколения – DDR, DDR2, DDR3 или DDR4, имеют разные частотные характеристики. Так, самая распространенная на 2017 год RAM DDR3 выпускается с частотностью 800, 1066, 1333, 1600, 1866, 2133 и 2400 МГц. Иногда ее так и обозначают: DDR3-1333, DDR3-1866 и т. д. И это удобно.

    Собственную эффективную частоту имеет не только оперативка, но и устройство, которое ею управляет – контроллер памяти. В современных компьютерных системах, начиная с поколения Sandy Bridge, он входит в состав процессора. В более старых – в состав компонентов северного моста материнской платы.

    Практически все ОЗУ могут работать на более низких тактах, чем указано в характеристиках. Модули оперативки с разной частотностью при условии сходства остальных параметров совместимы между собой, но способны функционировать только в одноканальном режиме.

    Если на компьютере установлено несколько планок ОЗУ с разными частотными характеристиками, подсистема памяти будет вести обмен данными со скоростью самого медленного звена (исключение – устройства с поддержкой технологии XMP). Так, если частота контроллера составляет 1333 МГц, одной из планок – 1066 МГц, а другой – 1600 МГц, передача будет идти на скорости 1066 МГц.

    Как узнать частоту оперативки на компьютере

    П режде чем учиться определять частотные показатели оперативной памяти на ПК, разберемся, как их узнает сам компьютер. Он считывает информацию, записанную в микросхеме SPD, которой оснащена каждая отдельная планка ОЗУ. Как выглядит эта микросхема, показано на фото ниже.


    Данные SPD умеют читать и программы, Например, широко известная утилита CPU- Z , один из разделов которой так и называется – «SPD ». На скриншоте далее мы видим уже знакомые характеристики скорости планки оперативки (поле «Max Bandwidth ») – PC3-12800 (800 MHz). Чтобы узнать ее эффективную частоту, достаточно разделить 12800 на 8 или 800 умножить на 2. В моем примере этот показатель равен 1600 MHz.

    Однако в CPU- Z есть еще один раздел – «Memory », а в нем – параметр «DRAM Frequency », равный 665,1 MHz. Это, как вы, наверное, догадались, фактические данные, то есть частотный режим, в котором в действительности функционирует ОЗУ. Если мы умножим 665,1 на 2, то получим 1330,2 MHz – значение, близкое к 1333 – частоте, на которой работает контроллер памяти этого ноутбука.


    Помимо CPU-Z, аналогичные данные показывает и другие приложения, служащие для распознавания и мониторинга железа ПК. Ниже приведены скриншоты бесплатной утилиты HWiNFO32/64 :


    И платной, но горячо любимой российскими пользователями AIDA64 :


    Где и что смотреть, думаю, понятно.

    Наконец, последний способ узнать частоту оперативной памяти – это чтение этикетки, приклеенной к самой планке.


    Если вы прочитали статью сначала, вам не составит труда найти в этих строчках нужные сведения. В примере, показанном выше, интересующий показатель составляет 1600 MHz и скрывается в слове “PC3L-12800s”.

    Это модуль, функцией которого является хранение данных и предоставление их по требованию устройству или программе - по сути это посредник между процессором и дисковыми накопителями. RAM является энергозависимым устройством, т.е. может работать лишь пока на него подается питание, при отключении которого все данные теряются. Разберемся более подробно в характеристиках этого важнейшего устройства, без которого ваш ПК, смартфон, ноутбук или планшет будет обычной грудой железа.

    Типы ОЗУ

    RAM бывают нескольких типов, кардинально отличающихся характеристиками и архитектурой.

    – синхронная динамическая память с произвольным доступом. Раньше была довольно популярной и использовалась почти во всех компьютерах, благодаря наличию синхронизации с системным генератором, который, в свою очередь, позволял контроллеру очень точно определять время, когда данные будут готовы. В итоге значительно уменьшилось время задержек по циклам ожидания в связи с доступностью данных на каждом такте таймера. Сегодня вытеснена более современными типами памяти.

    – это динамическая синхронизированная память, в ее основе лежит принцип случайного доступа и двойная скорость обмена данными. Такой модуль обладает рядом положительных характеристик относительно SDRAM, важнейшая из которых – за 1 такт системного генератора осуществляется 2 операции, то есть при неизменной частоте пропускная способность на пике увеличивается в 2 раза.

    – это следующая разработка, работает так же, как и у ОЗУ типа DDR, отличительная особенность данной модели заключается в удвоенной по объему выборке данных на такт (4 бита вместо 2х). Кроме того второе поколение стало более энергоэффективным, уменьшилось тепловыделение, а частоты выросли.

    – новое поколение RAM, важнейшая отличительная особенность от DDR2 – выросшие частоты и уменьшенное потребление энергии. Также совершенно изменена конструкция ключей (специальные прорези для точного вхождения в слот).

    Существуют модификации DDR3, отличающиеся еще меньшим потреблением энергии - DDR3L и LPDDR3 (напряжение у первой модели уменьшено до 1.35 В, а у второй до 1.2 В, тогда как у простых DDR3 оно равно 1.5В).

    DDR4 SDRAM - новейшее поколение оперативной памяти. Характеризуется выросшей до 3,2 Гбит/с скоростью обмена данными, увеличенной до 4266 МГц частотой и значительно улучшенной стабильностью.

    RIMM (RDRAM, Rambus DRAM) – память, основанная на тех же принципах, что и DDR, но с повышенным уровнем тактовой частоты, что было достигнуто за счет меньшей разрядности шины. Также при адресации ячейки номера строки и столбца предаются одновременно.

    Стоимость RIMM была намного выше, а производительность лишь немногим превышала DDR, в итоге RAM этого типа просуществовали на рынке недолго.

    Выбирайте тип RAM не только исходя из потенциала и характеристик вашей материнской платы, но и учитывая совместимость с другими составляющими системы.

    Варианты физического расположения чипов (упаковка)

    Устанавливаемые на модули ОЗУ чипы памяти располагаются либо с одной стороны (одностороннее месторасположение), либо с двух (двустороннее). В последнем варианте модули получаются достаточно толстыми, что не позволяет установить их на отдельные ПК.

    Форм-фактор это

    Специально разработанный стандарт в котором описаны размеры модуля ОЗУ, общее количество и месторасположение контактов. Существует несколько типов форм-факторов:

    SIMM (Single in Line Memory Module) - 30 или 72 двухсторонних контакта;

    RIMM – фирменный форм-фактор модулей RIMM (RDRAM). 184, 168 или 242 контакта;

    DIMM (Dual in Line Memory Module) – 168, 184, 200 или 240 независимых, расположенных по обеим сторонам модуля, контактных площадок.

    FB-DIMM (Fully Buffered DIMM) – исключительно серверные модули. Идентичны по форм-фактору DIMM с 240 контактами, но используют лишь 96, за счет последовательного интерфейса. Благодаря присутствующей на каждом модуле микросхеме AMB (Advanced Memory Buffer) обеспечивается высокоскоростная буферизация и конверсия всех сигналов, в том числе и адресации. Также значительно улучшены производительность и масштабируемость. Совместимы только с аналогичной полностью буферизованной памятью.

    LRDIMM (Load Reduced Dual In-Line Memory Modules) – исключительно серверные модули. Оснащаются буфером iMB (Isolation Memory Buffer), снижающим нагрузку на шину памяти. Применяются для ускорения работы больших объемов памяти.

    SODIMM (Small Outline Dual In-Line Memory Module) – подвид DIMM с меньшими размерами для установки в портативные устройства, в основном - ноутбуки. 144 и 200 контактов, в более редком варианте - 72 и 168.

    MicroDIMM (Micro Dual In-Line Memory Module) - еще уменьшенный SODIMM. Обычно имеют 60 контактов. Возможные реализации контактов - 144 SDRAM, 172 DDR и 214 DDR2.

    Отдельного упоминания заслуживает низкопрофильная (Low Profile) память - созданные специально для невысоких серверных корпусов модули с меньшей, по сравнению со стандартными, высотой.

    Форм-фактор является основным параметром совместимости RAM с материнской платой, поскольку при его несовпадении модуль памяти элементарно не получится вставить в слот.

    Что такое SPD?

    На каждой планке форм-фактора DIMM имеется маленький чип SPD (Serial Presence Detect), в котором зашиты данные о параметрах физических чипов. Данная информация имеет критическое значение для бесперебойной работы и считывается BIOS на этапе теста для оптимизации параметров доступа к ОЗУ.

    Ранки модуля памяти и их количество

    Блок памяти шириной 64 бита (72 для модулей с ECC), образованный N физическими чипами. Каждый модуль может иметь от 1 до 4 ранков, причем свое ограничение на количество ранков существует и у материнских плат. Поясним - если на материнскую плату может быть установлено не более 8 ранков, то это значит что суммарное количество ранков модулей RAM не может превышать 8, например, в данном случае - 8 одноранковых или 4 двухранковых. В независимости от того остались ли еще свободные слоты - при исчерпанном лимите ранков дополнительные модули будет установить невозможно.

    Определить ранк для конкретного ОЗУ довольно просто. У компании Kingston количество ранков определяется одной из 3-х букв в центре маркировочного списка: S – это одноранговая, D – друхранговая, Q – четырехранговая. Например:

    • KVR1333D3LS 4R9S/4GEC
    • KVR1333D3LD 4R9S/8GEC
    • KVR1333D3LQ 8R9S/8GEC

    Прочие же производители указывают этот параметр как, например, 2Rx8, что означает:

    2R - двухранковый модуль

    x8 - ширина шины данных на каждом чипе

    т.е. модуль 2Rx8 без ECC имеет 16 физических чипов (64х2/8).

    Тайминги и латентность

    Выполнение любой операции чипом памяти происходит за определенное число тактов системной шины. Требуемые для записи и считывания данных количества тактов и есть тайминги.

    Латентность, если коротко - задержка обращения к страницам памяти, также измеряется в количестве циклов и записывается 3-я числовыми параметрами: CAS Latency, RAS to CAS Delay, RAS Precharge Time. Иногда добавляется четвертая цифра - «DRAM Cycle Time Tras/Trc», характеризующая общее быстродействие всей микросхемы памяти.

    CAS Latency или CAS (CL) – ожидание от момента, когда данные были запрошены процессором и до начала их считывания с RAM. Одна из важнейших характеристик определяющих скорость работы ОЗУ. Маленькое CL говорит о высоком быстродействии RAM.

    RAS to CAS Delay (tRCD) - задержка между передачей сигнала RAS (Row Address Strobe) и CAS (Column Address Strobe), необходимая для четкого отделения этих сигналов контроллером памяти. Проще говоря - запрос на чтение данных включает в себя номера строки и столбца страницы памяти и эти сигналы должны быть отчетливыми, в противном случае будут возникать множественные ошибки данных.

    RAS Precharge Time (tRP) - определяет время задержки между деактивацией текущей строки данных и активацией новой. Иначе говоря – интервал, спустя который контроллер может снова подать сигналы RAS и CAS.

    Тактовая частота, частота передачи данных (Data rate)

    Частота передачи данных (Иначе - скорость передачи данных) - максимально возможное число циклов передачи данных в секунду. Измеряется в гигатрансферах (GT/s) или мегатрансферах (MT/s).

    Тактовая же частота определяет максимальную частоту системного генератора. Надо помнить, что DDR расшифровывается как Double Data Rate, что означает удвоенную частоту обмена данными относительно тактовой. Так, например для модуля DDD2-800 тактовая частота будет 400.

    Пропускная способность (пиковая скорость передачи данных)

    В упрощенном варианте рассчитывается как частота системной шины умноженная на передаваемый за такт объем данных.

    Пиковая же скорость является произведением частоты и разрядности шины на количество каналов памяти (Ч×Р×К). На модуле памяти указывается как, например, PC3200, что, очевидно, означает - пиковая скорость передачи данных для этого модуля равна 3200 Мбайт/с.

    Для оптимальной работы системы суммарное значение ПСПД планок памяти не должно превышать ПС шины процессора, исключением является двухканальный режим, когда планки будут занимать шину по очереди.

    Что такое поддержка ЕСС (Error Correct Code)

    Память с поддержкой ECC позволяет находить и исправлять спонтанные ошибки во время передачи данных. Физически ECC исполнена в виде дополнительного 8-разрядного чипа памяти на каждые 8 основных и представляет собой значительно улучшенный "контроль четности". Суть данной технологии состоит в отслеживании одного произвольно измененного в процессе записи/считывания 64-битного машинного слова бита с последующим его исправлением.

    Буферизованная (регистровая) память

    Характеризуется наличием на модуле RAM специальных регистров (буферов), обрабатывающих сигналы управления и адресации от контроллера. Несмотря на возникающий благодаря буферу дополнительный такт задержки, регистровая память тем не менее широко используется в профессиональных системах из-за пониженной нагрузки на систему синхронизации и значительно повышенной надежности.

    Надо помнить, что буферизированная и небуферизированная память являются несовместимыми и не могут работать в одном устройстве.

    Память: ОЗУ, DDR SDRAM, SDR SDRAM, PC100, DDR333, PC3200... как во всём этом разобраться? Давайте попробуем!

    Итак, первое что мы должны сделать это "разгладить" все сомнения и вопросы по поводу номиналов на памяти...

    Самые распространённые типы памяти это:

    • SDR SDRAM (обозначения PC66, PC100, PC133)
    • DDR SDRAM (обозначения PC266, PC333 и т.д. или PC2100, PC2700)
    • RDRAM (PC800)

    Теперь для последующих объяснений, расскажу про тайминги и частоты. Тайминг - это задержка между отдельными операциями, производимыми контроллером при обращении к памяти.

    Если рассмотреть состав памяти, получим: всё её пространство представлено в виде ячеек (прямоугольники), которые состоят из определённого количества строк и столбцов. Один такой "прямоугольник" называется страницей, а совокупность страниц называется банком.

    Для обращения к ячейке, контроллер задаёт номер банка, номер страницы в нём, номер строки и номер столбца, на все запросы тратится время, помимо этого довольно большая затрата уходит на открытие и закрытие банка после самой операции чтения/записи. На каждое действие требуется время, оно и называется таймингом.

    Теперь рассмотрим поподробнее каждый из таймингов. Некоторые из них не доступны для настройки - время доступа CS# (crystal select ) этот сигнал определяет кристалл (чип) на модуле для проведения операции.

    Кроме этого, остальные можно менять:

    • RCD (RAS-to-CAS Delay) это задержка между сигналами RAS (Row Address Strobe) и CAS (Column Address Strobe) , данный параметр характеризует интервал между доступами на шину контроллером памяти сигналов RAS# и CAS# .
    • CAS Latency (CL) это задержка между командой чтения и доступностью к чтению первого слова. Введена для набора адресными регистрами гарантированно устойчивого уровня сигнала.
    • RAS Precharge (RP) это время повторной выдачи (период накопления заряда) сигнала RAS# - через какое время контроллер памяти будет способен снова выдать сигнал инициализации адреса строки.
    • Примечание: порядок операций именно таков (RCD-CL-RP), но зачастую тайминги записывают не по порядку, а по "важности" - CL-RCD-RP.

    • Precharge Delay (или Active Precharge Delay ; чаще обозначается как Tras ) это время активности строки. Т.е. период, в течение которого закрывается строка, если следующая требуемая ячейка находится в другой строке.
    • SDRAM Idle Timer (или SDRAM Idle Cycle Limit ) количество тактов, в течение которых страница остаётся открытой, после этого страница принудительно закрывается, либо для доступа к другой странице, либо для обновления (refresh)
    • Burst Length это параметр, который устанавливает размер предвыборки памяти относительно начального адреса обращения. Чем больше его размер, тем выше производительность памяти.

    Ну вот, вроде разобрались с основными понятиями о таймингах, теперь рассмотрим подробнее номиналы памяти (PC100, PC2100, DDR333 и т.д.)

    Существует два типа обозначений для одной и той же памяти: одно - по "эффективной частоте" DDRxxx, а второе - по теоретической пропускной способности PCxxxx.

    Обозначение "DDRxxx" исторически развилось из последовательности названий стандартов "PC66-PC100-PC133" - когда было принято скорость памяти ассоциировать с частотой (разве что ввели новое сокращение "DDR" для того, чтобы отличать SDR SDRAM от DDR SDRAM). Одновременно с памятью DDR SDRAM появилась память RDRAM (Rambus), на которой хитрые маркетологи решили ставить не частоту, а пропускную способность - PC800. При этом ширина шины данных как была 64 бита (8 байт) - так и осталась, то есть те самые PC800 (800 МБ/с) получались умножением 100 МГц на 8. Естественно от названия ничего не поменялось, и PC800 RDRAM - суть та же самая PC100 SDRAM, только в другом корпусе... Это ничего больше, чем стратегия для продаж, грубо говоря "наколоть людей". В ответ компании, которые выпускают модули, стали писать теоретическую пропускную способность - PCxxxx. Так появились PC1600, PC2100 и следующие... При этом у DDR SDRAM эффективная частота выше в два раза, а значит и больше числа на обозначениях.

    Вот пример соответствий обозначений:

    • 100 МГц = PC1600 DDR SDRAM = DDR200 SDRAM = PC100 SDRAM = PC800 RDRAM
    • 133 МГц = PC2100 DDR SDRAM = DDR266 SDRAM = PC133 SDRAM = PC1066 RDRAM
    • 166 МГц = PC2700 DDR SDRAM = DDR333 SDRAM = PC166 SDRAM = PC1333 RDRAM
    • 200 МГц = PC3200 DDR SDRAM = DDR400 SDRAM = PC200 SDRAM = PC1600 RDRAM
    • 250 МГц = PC4000 DDR SDRAM = DDR500 SDRAM

    Что же касается RAMBUS (RDRAM) писать много не буду, но всё же постараюсь ее вам представить.

    Существует три разновидности RDRAM - Base , Concurrent и Direct . Base и Concurrent это практически одно и тоже, но Direct имеет приличные отличия, поэтому расскажу про первые две обобщённо, а про последнюю - поподробней.

    Base RDRAM и Concurrent RDRAM в основном отличаются только рабочими частотами: для первой частота составляет 250-300 MHz, а для второй этот параметр, соответственно, равен 300-350 MHz. Данные передаются по два пакета данных за такт, так что эффективная частота передачи получается в два раза больше. Память использует восьми битную шину данных, что, следовательно, дает пропускную способность 500-600 Mb/s (BRDRAM) и 600-700 Mb/s (CRDRAM).

    Direct RDRAM (DRDRAM) в отличие от Base и Concurrent, имеет 16-битную шину и работает на частоте 400 MHz. Пропускная способность Direct RDRAM составляет 1.6 Gb/s (учитывая двунаправленную передачу данных), что уже по сравнению с SDRAM (1 Gb/s для РС133) выглядит довольно неплохо. Обычно, говоря о RDRAM, подразумевают DRDRAM, поэтому буква "D" в названии часто опускается. При появлении этого типа памяти Intel создала чипсет для Pentium 4 - i850.

    Самый большой плюс Rambus памяти это то, что чем больше модулей - тем больше пропускная способность, например до 1.6 Gb/s на один канал и до 6.4 Gb/s при четырех каналах.

    Имеется также два недостатка, довольно значительных:

    1. Лапки золотые и приходят в негодность, если плату памяти вытащить и вставить в слот больше 10 раз (примерно).

    2. Завышенная цена, но многие находят очень хорошее применение этой памяти и готовы заплатить за них большие деньги.

    Вот, пожалуй, и всё, мы разобрались с таймингами, названиями и номиналами, теперь я расскажу немного о различных немаловажных мелочах.

    Вы наверняка видели в BIOS"e при настройках частоты памяти опцию By SPD что это значит? SPD - Serial Presence Detect , это микросхема на модуле, в которую зашиты все параметры для работы модуля, это так сказать "значения по умолчанию". Сейчас из-за появления "noname" компаний, стали записывать в этот чип имя производителя и дату.

    Регистровая память

    Registered Memory это память с регистрами, которые служат буфером между контроллером памяти и чипами модуля. Регистры уменьшают нагрузку на систему синхронизации и позволяют набирать очень большое количество памяти (16 или 24 гигабайт) не перегружая цепи контроллера.

    Но данная схема имеет недостаток - регистры вносят задержку в 1 такт на каждую операцию, а значит - регистровая память медленнее обычной при прочих равных условиях. То есть - оверклокеру неинтересна (да и стОит она очень дорого).

    Все сейчас кричат про Dual channel - что это?

    Dual channel - двойной канал, это позволяет обращаться одновременно к двум модулям. Dual channel - это не тип модулей, а функция интегрированная в материнскую плату. Может быть задействована с двумя (желательно) идентичными модулями. Включается он автоматически при наличие 2-х модулей.

    Примечание: чтобы активировать эту функцию, надо установить модули в слоты разных цветов.

    Parity и ECC

    Memory with Parity это память с проверкой чётности, способна детектировать некоторые типы ошибок.

    Memory with ECC это память с коррекцией ошибок, позволяет найти, а также исправить ошибку одного бита в байте. Применяется в основном на серверах.

    Примечание: она медленнее обычной, не годится для людей любящих скорость.

    Надеюсь, после прочтения статьи вы разобрались с более популярными "непонятными понятиями".